【摘要】：電化學(xué)方法因其方法簡(jiǎn)便、操作簡(jiǎn)單、成本低、方法多樣性而廣泛用于分析檢測(cè)中。如何在有干擾物種存在下實(shí)現(xiàn)高靈敏度和高選擇性檢測(cè)一直是發(fā)展電化學(xué)檢測(cè)方法的關(guān)鍵所在。近年來，一些基于對(duì)電化學(xué)反應(yīng)中傳荷或擴(kuò)散進(jìn)行設(shè)計(jì)或利用從而實(shí)現(xiàn)電化學(xué)檢測(cè)的新方法受到了廣泛關(guān)注。本論文工作利用復(fù)合微電極陣列在擴(kuò)散層區(qū)域內(nèi)擴(kuò)散相互交疊以及反應(yīng)物之間相互影響的特點(diǎn)，將干擾物消除，從而對(duì)待測(cè)物進(jìn)行選擇性和高靈敏度檢測(cè)。首先設(shè)計(jì)并通過微機(jī)電系統(tǒng)平臺(tái)制備出平面-帶-凹微盤陣列電極?；谶@種特殊電極構(gòu)型，我們提出了兩種工作模式(分離電位模式和氧化-還原法模式)，不僅能夠在擴(kuò)散層內(nèi)消除干擾物，而且可以利用氧化還原循環(huán)增強(qiáng)檢測(cè)信號(hào)和消除EC'反應(yīng)的干擾。并且進(jìn)一步提出了利用常規(guī)電極在擴(kuò)散層區(qū)域內(nèi)實(shí)現(xiàn)干擾物消除的選擇性檢測(cè)方法。基于以上，本論文研究?jī)?nèi)容包括以下三個(gè)方面：

1.平面-帶-凹微盤陣列電極的設(shè)計(jì)和制備。平面-帶-凹微盤陣列電極由上層平面金膜電極、中間帶電極和最下層凹微盤陣列電極組成，三層電極由絕緣層隔開而相互獨(dú)立。經(jīng)過對(duì)硅片前處理、鍍膜、引入絕緣層、光刻和刻蝕等工藝的優(yōu)化，制備出可控性和重現(xiàn)性較好的平面-帶-凹微盤陣列電極，并成功用于電化學(xué)實(shí)驗(yàn)和檢測(cè)。在該復(fù)合陣列電極的結(jié)構(gòu)中，上層金膜主要用于除去干擾物，帶電極主要用于氧化還原增強(qiáng)，凹微盤電極用于待測(cè)物的檢測(cè)。

2.平面-帶-凹微盤陣列電極在兩種工作模式下的電化學(xué)檢測(cè)。分離電位工作模式不僅能對(duì)有抗壞血酸(AA)干擾的多巴胺(DA)體系實(shí)現(xiàn)選擇性檢測(cè)，還能夠通過氧化還原循環(huán)增強(qiáng)檢測(cè)信號(hào)。氧化-還原法工作模式能對(duì)有AA干擾的DA體系實(shí)現(xiàn)選擇性檢測(cè)，以及通過氧化還原循環(huán)增強(qiáng)檢測(cè)信號(hào)，并能屏蔽EC'反應(yīng)對(duì)檢測(cè)靈敏度的干擾。氧化-還原法工作模式的優(yōu)勢(shì)是無需分離干擾物和待測(cè)物的電位，擴(kuò)大了電極適用條件和范圍。

3.將氧化-還原法工作模式用于常規(guī)商品化電極。通過電位階躍和循環(huán)伏安技術(shù)的結(jié)合，將在擴(kuò)散層區(qū)域內(nèi)的干擾物抗壞血酸和待測(cè)物多巴胺氧化，然后選擇合適的電位區(qū)間實(shí)現(xiàn)了多巴胺的選擇性檢測(cè)。通過實(shí)驗(yàn)考察了階躍電位、階躍時(shí)間和線性伏安掃描速度對(duì)檢測(cè)的靈敏度和選擇性的影響。這種方法無需對(duì)電極進(jìn)行修飾即可以實(shí)現(xiàn)DA的選擇性檢測(cè)，因?yàn)锳A的氧化產(chǎn)物不穩(wěn)定，可以視為還原不可逆過程，因此能夠直接將AA從擴(kuò)散層內(nèi)除去，不會(huì)對(duì)DA的信號(hào)造成干擾，并避免了AA在電極表面還原DA的氧化產(chǎn)物。該方法具有操作簡(jiǎn)便、步驟簡(jiǎn)單、重現(xiàn)性和穩(wěn)定性好等特點(diǎn)。